介電常數(shù)測定儀實驗原理

按照物質電結構的觀點，任何物質都是由不同的電荷構成，而在電介質中存在原子、分子和離子等。當固體電介質置于電場中后會顯示出一定的極性，這個過程稱為極化。對不同的材料、溫度和頻率，各種極化過程的影響不同。

1、介電常數(shù)(e)：某一電介質(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量C_x與同樣大小的介質為真空的電容器的電容量C_o之比值，被稱為該電介質材料的相對介電常數(shù)。

式中：C_x —電容器兩極板充滿介質時的電容；

Co —電容器兩極板為真空時的電容；

e —電容量增加的倍數(shù)，即相對介電常數(shù)

介電常數(shù)的大小表示該介質中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料，e要小，特別是用于高壓絕緣時。在制造高電容器時，則要求e要大，特別是小型電容器。

在絕緣技術中，特別是選擇絕緣材料或介質貯能材料時，都需要考慮電介質的介電常數(shù)。此外，由于介電常數(shù)取決于極化，而極化又取決于電介質的分子結構和分子運動的形式。所以，通過介電常數(shù)隨電場強度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究，還可以推斷絕緣材料的分子結構。

2．介電損耗(tgd)：指電介質材料在外電場作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場作用下，介質沒有周期性損耗，基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗；在交流電場作用下，介質損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場的頻繁轉向，電介質中的損耗要比直流電場作用時大許多(有時達到幾千倍)，因此介質損耗通常是指交流損耗。

在工程中，常將介電損耗用介質損耗角正切tgd來表示。tgd是絕緣體的無效消耗的能量對有效輸入的比例，它表示材料在一周期內熱功率損耗與貯存之比，是衡量材料損耗程度的物理量。

式中：ω —電源角頻率；

R —并聯(lián)等效交流電阻；

C —并聯(lián)等效交流電容器

凡是體積電阻率小的，其介電損耗就大。介質損耗對于用在高壓裝置、高頻設備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義，介質損耗過大，不僅降低整機的性能，甚至會造成絕緣材料的熱擊穿。

3、Q值：tgd的倒數(shù)稱為品質因素，或稱Q值。Q值大，介電損失小，說明品質好。所以在選用電介質前，必須首先測定它們的e和tgd。而這兩者的測定是分不開的。

通常測量材料介電常數(shù)和介質損耗角正切的方法有二種：交流電橋法和Q表測量法，其中Q表測量法在測量時由于操作與計算比較簡便而廣泛采用。本實驗主要采用的是Q表測量法。

4、陶瓷介質損耗角正切及介電常數(shù)測試儀：它由穩(wěn)壓電源、高頻信號發(fā)生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標準可調電容器等組成(圖2)。工作原理如下：高頻信導發(fā)生器的輸出信號，通過低阻抗耦合線圈將信號饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號幅度的調節(jié)是通過控制振蕩器的簾柵極電壓來實現(xiàn)。當調節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時，Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當Vi調節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后，可以使測量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度，即可直接的讀出Q值，而不必計算。另外，電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是：如果直接測量Vi必須增加大量電子組件才能測量出高頻低電壓信號，成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達到同樣的目的。

圖1 Q表測量電路圖

經(jīng)推導(1) 介電常數(shù)：

(1)

式中：C1—標準狀態(tài)下的電容量；

C2—樣品測試的電容量；

d—試樣的厚度(cm)；

Φ—試樣的直徑(cm)；

(2) 介質損耗角正切：

(2)

式中：Q1—標準狀態(tài)下的Q值；

Q2—樣品測試的Q值；

(3) Q值：

(3)